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Formulaires

Convertisseurs d'unités, formules de cours annotées et tables de référence pour l'électronique de puissance.

⚡ Tension
V — volt
mV — millivolt
kV — kilovolt
dBV
〰 Courant
A — ampère
mA — milliampère
µA — microampère
kA — kiloampère
🔁 Fréquence / Période
Hz — hertz
kHz — kilohertz
µs — période
rad/s — pulsation ω
💡 Puissance
W — watt
kW — kilowatt
mW — milliwatt
dBm
🔗 Résistance / Impédance
Ω — ohm
kΩ — kilohm
MΩ — mégaohm
mΩ — milliohm
🔋 Capacité
F — farad
µF — microfarad
nF — nanofarad
pF — picofarad
🌀 Inductance
H — henry
mH — millihenry
µH — microhenry
nH — nanohenry
🌡 Température
°C — Celsius
K — Kelvin
°F — Fahrenheit
🔌 Section de câble (cuivre)
AWG (numéro)
mm² — section
mm — diamètre
mΩ/m — résistance Cu 20°C
Courant maxi indicatif : — A (en faisceau, 60°C)
⚡ Énergie
J — joule
Wh — watt-heure
kWh — kilowatt-heure
µJ — microjoule
Convertisseurs DC-DC
Buck — Rapport cyclique
V_out : tension de sortie, V_in : tension d'entrée. Valable en mode continu (CCM).
Buck — Ondulation courant inducteur
L : inductance, f_sw : fréquence de découpage, D : rapport cyclique.
Boost — Rapport cyclique
D > 0 requis ; en pratique D ≤ 0.9 pour limiter les pertes.
Ondulation tension sortie Buck
C_out : capacité de sortie. Approximation valable en CCM avec C_out faible ESR.
Flyback — Rapport de transformation
n : rapport N_p/N_s, V_f : chute diode secondaire.
LLC — Fréquence de résonance
L_r : inductance résonante, C_r : capacité résonante.
Pertes MOSFET — Commutation
Pertes par commutation (turn-on)
t_cr : montée courant, t_vf : descente tension, I_sw : courant, V_sw : tension commutée.
Pertes par commutation (turn-off)
t_vr : montée tension, t_cf : descente courant. Réf. TI SLUA618A.
Pertes par conduction MOSFET
R_DS(on) à T_junction, I_rms : courant efficace.
Résistance thermique jonction-ambiance
Modèle thermique en cascade : jonction → boîtier → dissipateur → ambiance.
Filtres et Impédances
Fréquence de coupure — Filtre RC
Atténuation de –3 dB à f_c. Pente –20 dB/décade au-delà.
Fréquence de résonance LC
Pulsation propre ω₀ = 2π·f_r. Impedance nulle à la résonance série.
Impédance inductance
Réactance inductive croissante avec la fréquence.
Impédance capacité
Réactance capacitive décroissante avec la fréquence.
Série E24 — Résistances standard
Valeurs normalisées E24
Table AWG — Conducteurs cuivre
AWGØ (mm)Section (mm²)R (mΩ/m)I_max (A)
Matériaux magnétiques (ferrites)
Matériauμ_rB_sat (T)f_max
3C95 (Ferroxcube)30000.48300 kHz
N87 (TDK)22000.49500 kHz
N97 (TDK)23000.49200 kHz
PC44 (TDK)24000.51100 kHz
77 (Fair-Rite)20000.461 MHz
61 (Fair-Rite)1250.2325 MHz
Sendust (MS)26–1471.052 MHz
MPP14–5500.752 MHz
Résistivité des conducteurs
Matériauρ (nΩ·m)α (1/°C)
Cuivre (Cu)17.23.9×10⁻³
Aluminium (Al)28.24.0×10⁻³
Or (Au)22.13.4×10⁻³
Argent (Ag)15.93.8×10⁻³
Nickel (Ni)69.96.0×10⁻³
Étain (Sn)1154.5×10⁻³
Semiconducteurs — Paramètres typiques
TypeV_f / V_GS(th)V_sat / V_ce(sat)Application
Si MOSFET2.5–4.5 V—≤ 200 kHz
SiC MOSFET2.2–3.5 V—≤ 1 MHz
GaN HEMT0.8–2.0 V—≤ 5 MHz
IGBT (PT)5.5–6.5 V1.5–2.5 V≤ 50 kHz
IGBT (FS)5.0–6.0 V1.2–2.0 V≤ 30 kHz
Diode Si0.6–0.8 V—Général
Diode SiC1.2–2.0 V—Haute tension
Schottky (Si)0.2–0.4 V—≤ 200 V
Constantes physiques utiles
ConstanteSymboleValeur
Charge électronq1.602×10⁻¹⁹ C
Permittivité videε₀8.854×10⁻¹² F/m
Perméabilité videμ₀4π×10⁻⁷ H/m
Permittivité SiO₂ε_r3.9
Boltzmannk_B1.381×10⁻²³ J/K
Planckh6.626×10⁻³⁴ J·s
Fonctions
Définitions (triangle rectangle)
Sinus
opposé / hypoténuse
Cosinus
adjacent / hypoténuse
Tangente
opposé / adjacent
Cotangente
Sécante
Cosécante
Identités fondamentales
Pythagore
Pythagore (tan)
Pythagore (cot)
Parité & symétries
Parité
FonctionParitéFormule
sinimpairesin(−θ) = −sin(θ)
cospairecos(−θ) = cos(θ)
tanimpairetan(−θ) = −tan(θ)
Complémentarité (π/2 − θ)
Formule
sin(π/2 − θ) = cos(θ)
cos(π/2 − θ) = sin(θ)
tan(π/2 − θ) = cot(θ)
Supplémentarité (π − θ)
Formule
sin(π − θ) = sin(θ)
cos(π − θ) = −cos(θ)
sin(π + θ) = −sin(θ)
cos(π + θ) = −cos(θ)
Formules d'addition
sin(a + b)
sin(a − b)
cos(a + b)
cos(a − b)
tan(a + b)
tan(a − b)
Angle double
sin(2θ)
cos(2θ)
tan(2θ)
Angle triple
sin(3θ)
cos(3θ)
tan(3θ)
Linéarisation (puissances → multiples)
sin²(θ)
cos²(θ)
sin(θ)cos(θ)
sin³(θ)
cos³(θ)
Somme → Produit
sin p + sin q
sin p − sin q
cos p + cos q
cos p − cos q
Produit → Somme
sin(a)·sin(b)
cos(a)·cos(b)
sin(a)·cos(b)
Tangente demi-angle — substitution de Weierstrass (t = tan θ/2)
sin(θ)
cos(θ)
tan(θ)
Formule d'Euler & complexes
Euler
sin depuis exponentielle
cos depuis exponentielle
Module
Fonctions hyperboliques
sinh(x)
cosh(x)
tanh(x)
Identité fondamentale
sinh(x + y)
cosh(x + y)
Valeurs remarquables
Table sin / cos / tan
θ (rad)θ (°)sin θcos θtan θ
00°010
π/630°1/2√3/2√3/3
π/445°√2/2√2/21
π/360°√3/21/2√3
π/290°10—
2π/3120°√3/2−1/2−√3
3π/4135°√2/2−√2/2−1
5π/6150°1/2−√3/2−√3/3
π180°0−10
3π/2270°−10—
2π360°010
Dérivées
Fonctions circulaires
f(x)f ′(x)
sin(x)cos(x)
cos(x)−sin(x)
tan(x)1 + tan²(x) = sec²(x)
arcsin(x)1/√(1−x²)
arccos(x)−1/√(1−x²)
arctan(x)1/(1+x²)
Fonctions hyperboliques
f(x)f ′(x)
sinh(x)cosh(x)
cosh(x)sinh(x)
tanh(x)1/cosh²(x) = sech²(x)
argsinh(x)1/√(x²+1)
argcosh(x)1/√(x²−1)
argtanh(x)1/(1−x²)
Primitives
Intégrales usuelles
∫ f(x) dxRésultat + C
sin(x)−cos(x)
cos(x)sin(x)
tan(x)−ln|cos(x)|
sin²(x)x/2 − sin(2x)/4
cos²(x)x/2 + sin(2x)/4
1/√(1−x²)arcsin(x)
1/(1+x²)arctan(x)
sin(ax)cos(bx)[sin((a+b)x) + sin((a−b)x)] / (2(a+b)) ···
Triangle quelconque — lois des sinus / cosinus
Loi des sinus
R = rayon du cercle circonscrit
Loi des cosinus (al-Kashi)
Formule de l'aire
Transformée de Laplace — paires usuelles
Table ℒ{f(t)} = F(s)
Nomf(t) (t ≥ 0)F(s) = ℒ{f(t)}
Impulsion Diracδ(t)1
Échelon unitéu(t)1/s
Rampet1/s²
Parabolet²/21/s³
Exponentiellee^(−at)1/(s+a)
Rampe exponentiellet·e^(−at)1/(s+a)²
Sinusoïdesin(ωt)ω/(s²+ω²)
Cosinusoïdecos(ωt)s/(s²+ω²)
Sin. amortie^(−at)·sin(ωt)ω/[(s+a)²+ω²]
Cos. amortie^(−at)·cos(ωt)(s+a)/[(s+a)²+ω²]
Dérivéef′(t)s·F(s) − f(0⁺)
Intégrale∫₀ᵗ f(τ)dτF(s)/s
Retardf(t−τ)·u(t−τ)e^(−τs)·F(s)
Fonctions de transfert standards
1er ordre
K = gain statique · τ = constante de temps
2ème ordre
ω₀ = fréq. propre · ξ = amortissement
Intégrateur pur
Dérivateur pur
Régulateur P
Régulateur PI
Régulateur PD
Régulateur PID
Retard pur (approximation de Padé)
Approx. 1er ordre de e^(−Ls)
Diagramme de Bode — 1er ordre H(jω) = K/(1+jωτ)
Bode — Module & Phase
|H| (dB) 20 0 -20 -40 ω=1/τ 10/τ 100/τ −3 dB φ (°) 0° -30° -45° -60° -90° −45° @ ω₀
Système du 2ème ordre — caractéristiques
Dépassement (overshoot)
Valable pour ξ < 1 (réponse oscillante)
Temps de montée
Temps de réponse à 5 %
Pulsation amortie
Bande passante
Comportement selon ξ
ξRégimeDépassementPoles
0Non amorti∞±jω₀ (imaginaires purs)
0 < ξ < 1Sous-amorti> 0 %complexes conjugués
ξ = 0.7Quasi-optimal~ 5 %arg ≈ 45°
ξ = 1Critique0 %réels égaux −ω₀
ξ > 1Sur-amorti0 %réels distincts
Réponses temporelles
Réponse indicielle — 2ème ordre (différents ξ)
1.0 0 t y(t) ξ=0.2 ξ=0.7 ξ=1 ξ=2 D%
Réponse à une rampe & à une sinusoïde
Rampe sortie entrée e∞ Sinusoïde — déphasage φ & atténuation sortie (atténuée, déphasée)
Critères et marges de stabilité
Marge de gain (Gm)
ω_π = fréquence où arg(L) = −180°. Gm > 6 dB recommandé.
Marge de phase (Pm)
ω_c = fréquence de coupure (|L|=0 dB). Pm > 45° recommandé.
Critère de Nyquist simplifié
FTBO stable en BF : le point critique (−1, j0) doit rester à gauche du hodographe parcouru dans le sens des ω croissants.
Erreur statique (position)
Kp = lim(s→0) L(s)
Erreur de trainage (vitesse)
Kv = lim(s→0) s·L(s)
Diagramme de Nyquist — hodographe
Hodographe de L(jω) — système stable (marge de phase positive)
Im Re |L|=1 (−1, 0) ω ↑ ω→0 ω→∞ Pm
Abaques de Black-Nichols
Plan de Black : |L(jω)| dB vs arg(L(jω)) — point critique (−180°, 0 dB)
(−180°, 0 dB) |L| dB arg L 0° -45° -90° -135° -180° -225° 40 20 0 -20 ω ↑ Gm Pm M = 3dB